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2025-02-18 14:48:59 - 在更高密度的DRAM芯片中，应开发3D DRAM架构，如4F2垂直沟道晶体管 (VCT) 单元、IGZO DRAM单元或3D堆叠DRAM单元，并在10纳米以下级别节点（个位数节点）实现产品化，尤其是三星、SK海力士和美光等主要厂商，作为下一代DRAM缩放的候选方案。
2025-02-18 14:42:49 - 在更高密度的DRAM芯片中，应开发3D DRAM架构，如4F2垂直沟道晶体管 (VCT) 单元、IGZO DRAM单元或3D堆叠DRAM单元，并在10纳米以下级别节点（个位数节点）实现产品化，尤其是三星、SK海力士和美光等主要厂商，作为下一代DRAM缩放的候选方案。
2025-02-18 14:35:12 - 在更高密度的DRAM芯片中，应开发3D DRAM架构，如4F2垂直沟道晶体管 (VCT) 单元、IGZO DRAM单元或3D堆叠DRAM单元，并在10纳米以下级别节点（个位数节点）实现产品化，尤其是三星、SK海力士和美光等主要厂商，作为下一代DRAM缩放的候选方案。
2025-02-27 09:24:03 - 以汇通控股车轮总成分装业务为例，子公司海川部件为蔚来汽车F1和F2工厂建设了两条车轮总成分装生产线。 新能源收入占比突破40% 在我国自主品牌汽车崛起的路途中，新能源汽车扮演一个关键角色。
2025-02-08 08:21:20 - 如下图所示，在其他条件相近的情况下，静态看，F1、F2及F3三个函数，代表三个组织的领导人，在相同资源禀赋C及L组合下，F1最大只能使用出C1、L1或其他组合，实现产出Y1；F2最大只能使用出C2、L2或其他组合，实现产出Y2；而F能够充分使用出所有的Cm、Lm或相应的组合，实现最大可能的产出
2025-02-05 05:40:13 - 2024年，大众安徽首款智能轿跑SUV ID.与众上市，这是合肥新能源汽车产业集群建设的又一成果。大众汽车不断加码合肥，建设科技研发中心，打造智能生产基地，在合肥经开区推进汽车全球一体化制造。同时，大众安徽还与小鹏汽车合作研发、制造新车型，预计2026年下线。
2025-01-17 17:47:55 - 据北京市规划和自然资源委员会消息，1月16日，中国海外发展（00688.HK）全资拥有的北京中海地产有限公司以40.08亿元的总价竞得北京市丰台区西南郊冷库及周边城中村改造项目FT00-2404-0005地块。
2025-01-09 00:05:30 - 代文亮告诉时代财经记者，3.5D F2F封装技术是一种架构创新，在此之前，业界比较常见的先进封装技术，要么是2.5D封装，要么是通过桥接芯片放在下面。3.5D F2F封装也许不是最优方案，但给产业提供了另一个解决当前痛点问题的路径。
2025-01-02 16:44:07 - 资料显示，昌融公司开发了未来公元项目，项目土地性质为F2公建混合住宅用地，项目地上规划建筑面积约15.64万平方米。目前，项目剩余货量规划建筑面积为11.62万平方米及相关车位。
2024-12-06 11:18:55 - 博通宣布推出行业首个3.5D F2F封装技术，技术名为3.5D XDSiP，可在单一封装中集成超过6000平方毫米的硅芯片和多达12个HBM内存堆栈，可满足大型AI芯片对高性能低功耗的需求。博通目前正在采用该技术开发五款产品，预计将于2026年2月开始生产。
